| 摘要 |
半導体デバイスをアセンブルする方法（１００）が、溶媒内に金属粒子を含む金属ペーストを、リードフレームの複数の金属端子のボンディングエリア上にディスペンスすること（１０１）を含む。ディスペンスすることは、変化する厚みをボンディングエリアの上に提供する。溶媒は、気化されて（１０２）第１の傾斜した頂部面と第２の傾斜した頂部面とを含む傾斜した金属被覆を形成する。第１の傾斜した頂部面は、第２の傾斜した頂部面に比してダイパッドに一層近く、第２の傾斜した頂部面は、ダイパッドに対する距離が低減するにつれて被覆厚みが増大し、第１の傾斜した頂部面は、ダイパッドに対する距離が低減するにつれて被覆厚みが低減する。複数の頂部側ボンドパッドを含む半導体ダイの底部側が、ダイパッドに取り付けられる（１０３）。ボンドパッドと第２の傾斜した頂部面との間にボンドワイヤが接続される（１０４）。 |
