发明名称 MASK AND METHOD OF FORMING THE SAME
摘要 본 발명은 마스크 및 마스크의 형성의 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 타겟 패턴을 설정하는 단계, 타켓 패턴에 의해 형성된 사이드 로브의 발생을 확인하는 단계, 타겟 패턴 및 사이드 로브가 발생한 영역에 예비 타켓 패턴 및 예비 사이드 로브 패턴을 설정하는 단계, 예비 타켓 패턴 및 예비 사이드 로브 패턴을 이용하여 간섭 패턴 맵(map)을 생성하는 단계, 간섭 패턴 맵에서 상기 예비 타켓 패턴의 위치의 위상과 같은 위상 또는 반대 위상을 가지는 영역들 중의 적어도 하나를 간섭 보조 패턴들로 설정하는 단계, 및 간섭 보조 패턴들 및 타겟 패턴들을 이용하여 마스크를 형성하는 단계를 포함한다.
申请公布号 KR101560332(B1) 申请公布日期 2015.10.15
申请号 KR20090014451 申请日期 2009.02.20
申请人 삼성전자주식회사 发明人 전용진;최수한;김상욱;최성운;이석주;이성우;김영창;서성수;최진선
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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