| 摘要 |
半導体基板上に流動可能な炭素層を形成する方法が説明される。局所励起（ホットワイヤＣＶＤにおける熱フィラメント、ＰＥＣＶＤ又はＵＶ光におけるプラズマなど）は、本明細書に記載されているように、基板上に流動可能な炭素含有膜を形成するために、炭化水素を含むケイ素フリー炭素含有前駆体に適用することができる。遠隔励起法は、安定前駆体を励起してラジカル前駆体を生成し、その後それを基板処理領域内で非励起ケイ素フリー炭素含有前駆体と結合することによって、流動可能な炭素含有膜を生成することがさらに見出されている。 |
