| 摘要 |
<p>Leistungshalbleiterbauelement, umfassend Zellen (701, 702, 801, 802), die als IGBT-Zellen ausgebildet sind und die innerhalb eines ersten Bereichs und eines zweiten Bereichs des Leistungshalbleiterbauelements angeordnet sind, wobei mindestens ein Parameter der Zellen (701, 702, 801, 802) für eine oder mehrere der Zellen im zweiten Bereich bezüglich einer oder mehrerer der Zellen im ersten Bereich variiert ist, sodass die Ladungsträgerdichte im zweiten Bereich bezüglich des ersten Bereichs während eines Abschaltens reduziert ist, und wobei der zweite Bereich ein Übergangsbereich ist, der sich von der einen oder den mehreren Zellen im ersten Bereich zu einer oder mehreren eines Abschlußbereichs, eines Gate-Pad (1100) oder eines Gate-Runner (1000) erstreckt.</p> |
