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<p>Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung mit einer Mehrzahl von Widerstandsänderungsspeicherzellen, wobei das Verfahren aufweist:–Ausbilden eines Halbleitersubstrats;–Ausbilden einer Isolationsschicht auf dem Halbleitersubstrat;–Ausbilden eines Grabens innerhalb der Isolationsschicht;–Einführen von Dotiermaterial eines ersten Leitungstyps durch den Graben in das Halbleitersubstrat, wodurch ein erstes Halbleitergebiet gebildet wird;–Füllen des Grabens mit einem Füllmaterial;–Ausbilden eines Kontaktloches innerhalb der Isolationsschicht benachbart zu dem Graben;–Einführen von Dotiermaterial eines zweiten Leitungstyps durch das Kontaktloch in das Halbleitersubstrat, wodurch ein zweites Halbleitergebiet gebildet wird, das zusammen mit dem ersten Halbleitergebiet eine Diode mit einem pn-Übergang ausbildet, wobei der pn-Übergang ein laterales pn-Übergangsgebiet bildet;–Entfernen des Füllmaterials;–Füllen des Grabens und des Kontaktloches mit leitendem Material, wodurch in dem Graben eine Wortleitung auf dem Halbleitersubstrat, und in dem Kontaktloch ein leitendes Verbindungselement gebildet wird;–Ausbilden eines Speicherelementes oberhalb des Halbleitersubstrats derart, dass das Speicherelement über das leitende Verbindungselement mit dem zweiten Halbleitergebiet verbunden ist.</p> |
