| 摘要 |
<p>본 발명은 태양 전지(1)의 이용측(3) 상에 선택적 이미터 구조체(8)를 생산하기 위한 방법에 관한 것이되, 이미터 구조체(8)는 도핑된 이미터층(4) 및 이미터층 상에 배열되는, 몇몇의 접촉 요소(5)들, 특히 접촉 핑거들을 포함하고, 이미터층(4)은 접촉 요소(5)들 사이의 영역보다 접촉 요소(5)들 아래의 영역에서 더 높은 도핑부를 구비한다. 다음의 단계들이 제공된다: a) 전체적으로 도핑된 이미터층을 갖는 태양 전지(1)를 제공하는 단계, b) 이미터층(4) 상에 접촉 요소(5)들을 생산하는 단계, 및 c) 태양 전지(1)의 전체 이용측(3)의 에칭 공정에 의해 접촉 요소(5)들 사이의 영역에서 이미터층(4)의 도핑부를 감소시키는 단계. 또한 본 발명은 장치 및 태양 전지에 관한 것이다.</p> |
