| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法可以包括提供具有凹槽的衬底；在凹槽内外延地形成包括掺杂的半导体材料的第一层；以及在凹槽的至少一部分的上方外延地形成包括未掺杂的半导体材料的第二层。 | ||
| 申请公布号 | CN104979162A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410298946.0 | 申请日期 | 2014.06.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡俊雄;郭紫微 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有凹槽的衬底；在所述凹槽内外延地形成包括掺杂的半导体材料的第一层；以及在所述凹槽的至少一部分的上方外延地形成包括未掺杂的半导体材料的第二层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||