用于对基板进行等离子切割的方法

摘要

本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法，包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源，该等离子源在所述处理室中产生等离子；在所述处理室内提供工件支架；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；在工件支架内提供升降机构；使用所述升降机构将工件放置到工件支架上，所述升降机构接触工件的与所述框架重叠的部分；在等离子源与工件之间提供导电屏蔽网，该导电屏蔽网减少了所述基板上的离子轰击，该导电屏蔽网减少了所述基板的加热；通过所述等离子源产生等离子；以及，在所述导电屏蔽网位于等离子源下方且所述导电屏蔽网位于工件上方的情况下，通过从所述等离子源产生的等离子来蚀刻所述工件。

主权项

一种用于对基板进行等离子切割的方法，所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的所述壁相邻的等离子源，所述等离子源在所述处理室中产生等离子；在所述处理室内提供工件支架；将所述基板放置到框架上的支撑膜上，以形成工件；在所述工件支架内提供升降机构；使用所述升降机构将所述工件放置到所述工件支架上，所述升降机构接触所述工件的与所述框架重叠的部分；在所述等离子源与所述工件之间提供导电屏蔽网，所述导电屏蔽网减少了所述基板上的离子轰击，所述导电屏蔽网减少了所述基板的加热；通过所述等离子源产生等离子；以及在所述导电屏蔽网位于所述等离子源下方且所述导电屏蔽网位于所述工件上方的情况下，通过从所述等离子源产生的等离子来蚀刻所述工件。