发明名称 | 包括三耦合量子阱结构的光学设备 | ||
摘要 | 一种光学设备,包括有源层,该有源层包括至少两个外部势垒以及被插入在所述至少两个外部势垒之间的至少一个耦合量子阱。每个耦合量子阱包括至少三个量子阱层以及分别被设置在所述至少三个量子阱层之间的至少两个耦合势垒。被布置在所述至少三个量子阱层的相对端部分处的两个量子阱层的厚度小于在被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层之间布置的其他量子阱层的厚度。被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层的带隙可以高于被布置在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的带隙。 | ||
申请公布号 | CN104977770A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
申请号 | CN201410791118.0 | 申请日期 | 2014.12.18 |
申请人 | 三星电子株式会社;光州科学技术院 | 发明人 | 赵龙哲;李用卓;罗炳勋;朴昌泳;周建佑;朴勇和 |
分类号 | G02F1/17(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/17(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽;侯广 |
主权项 | 一种光学设备,包括:下反射层,以第一导电型掺杂剂掺杂;有源层,在该下反射层上,并且包括至少两个外部势垒以及所述至少两个外部势垒之间的至少一个耦合量子阱;以及上反射层,在该有源层上,并且以与第一导电型掺杂剂电性相反的第二导电型掺杂剂掺杂,其中,每个耦合量子阱包括至少三个量子阱层以及分别被设置在所述至少三个量子阱层之间的至少两个耦合势垒,所述至少三个耦合量子阱的相对端部分处的两个量子阱层的厚度小于在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的厚度,并且所述相对端部分处的两个量子阱层的能级高于在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的能级。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |