| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层；在金属栅极层表面上形成扩散阻挡层；采用ALD工艺填充钨层，具体步骤为：通过交替进行第一反应和第二反应填充钨层，其中，第一反应的反应气体包括含硅反应气体，第二反应的反应气体包括硼烷。本发明通过交替通入含硅气体和硼烷气体进行反应来形成钨层，在保证了钨的填孔性能的同时，避免了硼元素在扩散阻挡层的界面富集以及穿透到之下的栅极介质层和栅极中，提升了后道CMP工艺集成的可靠性，同时也降低了栅极电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN104979181A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410141701.7 | 申请日期 | 2014.04.09 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王桂磊;赵超;徐强;陈韬;杨涛;李俊峰 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 王立民;张应 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层；在金属栅极层表面上形成扩散阻挡层；采用ALD工艺填充钨层，具体步骤为：通过交替进行第一反应和第二反应填充钨层，其中，第一反应的反应气体包括含硅反应气体，第二反应的反应气体包括硼烷。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||