发明名称 一种无运放低压低功耗的带隙基准电路
摘要 本发明提出一种无运放低压低功耗的带隙基准电路。该电路包括正温度系数电路、负温度系数电路和输出电路,其中,还包括:偏置电路,所述偏置电路包括偏置PMOS管和偏置NMOS管,所述偏置PMOS管与输出电路中的PMOS管并联;所述偏置PMOS管的漏极与所述偏置NMOS管源极相连;所述偏置NMOS管的栅极与正温度系数电路中第零三极管的集电极连接,所述偏置NMOS管的漏极与正温度系数电路中第一三极管的发射极连接;所述第一三极管的集电极和基极相连。增加了偏置电路,可以保证正温度系数电路中,三极管集电极的电压保持一致,不会随电源电压的变化使得电路的基准电流有变化,提高了输出电压对于电源变化的抑制能力。
申请公布号 CN104977971A 申请公布日期 2015.10.14
申请号 CN201510397791.0 申请日期 2015.07.08
申请人 北京兆易创新科技股份有限公司 发明人 邓龙利;刘铭
分类号 G05F1/567(2006.01)I 主分类号 G05F1/567(2006.01)I
代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 胡彬;邓猛烈
主权项 一种无运放低压低功耗的带隙基准电路,包括正温度系数电路、负温度系数电路和输出电路,其特征在于,还包括:偏置电路,所述偏置电路包括偏置PMOS管和偏置NMOS管,所述偏置PMOS管与输出电路中的PMOS管并联;所述偏置PMOS管的漏极与所述偏置NMOS管源极相连;所述偏置NMOS管的栅极与正温度系数电路中第零三极管的集电极连接,所述偏置NMOS管的漏极与正温度系数电路中第一三极管的发射极连接;所述第一三极管的集电极和基极相连。
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