发明名称 |
一种无运放低压低功耗的带隙基准电路 |
摘要 |
本发明提出一种无运放低压低功耗的带隙基准电路。该电路包括正温度系数电路、负温度系数电路和输出电路,其中,还包括:偏置电路,所述偏置电路包括偏置PMOS管和偏置NMOS管,所述偏置PMOS管与输出电路中的PMOS管并联;所述偏置PMOS管的漏极与所述偏置NMOS管源极相连;所述偏置NMOS管的栅极与正温度系数电路中第零三极管的集电极连接,所述偏置NMOS管的漏极与正温度系数电路中第一三极管的发射极连接;所述第一三极管的集电极和基极相连。增加了偏置电路,可以保证正温度系数电路中,三极管集电极的电压保持一致,不会随电源电压的变化使得电路的基准电流有变化,提高了输出电压对于电源变化的抑制能力。 |
申请公布号 |
CN104977971A |
申请公布日期 |
2015.10.14 |
申请号 |
CN201510397791.0 |
申请日期 |
2015.07.08 |
申请人 |
北京兆易创新科技股份有限公司 |
发明人 |
邓龙利;刘铭 |
分类号 |
G05F1/567(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/567(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
胡彬;邓猛烈 |
主权项 |
一种无运放低压低功耗的带隙基准电路,包括正温度系数电路、负温度系数电路和输出电路,其特征在于,还包括:偏置电路,所述偏置电路包括偏置PMOS管和偏置NMOS管,所述偏置PMOS管与输出电路中的PMOS管并联;所述偏置PMOS管的漏极与所述偏置NMOS管源极相连;所述偏置NMOS管的栅极与正温度系数电路中第零三极管的集电极连接,所述偏置NMOS管的漏极与正温度系数电路中第一三极管的发射极连接;所述第一三极管的集电极和基极相连。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 |