一种半导体材料及其调制禁带宽度的方法与应用

摘要

本发明属于材料科学与工程领域，特别涉及一种半导体材料及其调制禁带宽度的方法与应用。本发明对于一种特定的半导体材料，首先采用高温热源将其熔化，让材料中各原子或离子迅速扩散达到原子级均匀分布，然后将熔体快速冷却凝固，在材料内部引入一定量的缺陷，利用缺陷能级的引入对半导体材料的禁带宽度进行调制。本发明具有快速、节能、适用范围广等优点，尤其对于对缺陷比较敏感和禁带宽度调制困难的体系有更加显著的优势。

主权项

一种调制半导体材料禁带宽度的方法，其特征在于，利用熔融‑冷却工艺来调制半导体材料禁带宽度。