发明名称 半导体发光器件
摘要 提供一种半导体发光器件,包括:第一导电型半导体层;发光层;第二导电型半导体层;第一极性的导电部分,其电气连接到第一导电型半导体层;以及第二极性的导电部分,其电气连接到第二导电型半导体层。第一极性的导电部分和第二极性的导电部分中的至少之一包括布置在发光表面上的多个分开的电极部分。分开的电极部分的位置越靠近发光表面的中心点,分开的电极部分被稀疏地设置,分开的电极部分的位置越远离发光表面的中心点,分开的电极部分被密集地设置。
申请公布号 CN103247734B 申请公布日期 2015.10.14
申请号 CN201310052061.8 申请日期 2013.02.17
申请人 丰田合成株式会社 发明人 神谷真央;柏本启佑;斋藤仁美;野田尚伸
分类号 H01L33/38(2010.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 康建峰;贾萌
主权项 一种半导体发光器件,包括:n‑型半导体层;发光层;p‑型半导体层;多个n点电极,其形成在所述n‑型半导体层上;梳状n布线部分,其具有梳子形状并且形成在所述多个n点电极上;n平头电极;透明导电膜,其形成在所述p‑型半导体层上;梳状p布线部分,其接触所述透明导电膜;以及p平头电极,其中,所述多个n点电极关于发光表面分开布置,所述梳状n布线部分电连接所述多个n点电极,并且离所述发光表面的中心点越远,所述n点电极和最靠近所述n点电极的所述梳状p布线部分之间的距离越小。
地址 日本爱知县