| 发明名称 | 测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置 | ||
| 摘要 | 一种测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置，包括：激励光源，其发出的照射光；介质材料，待测样品浸入所述介质材料，所述照射光照射到所述介质材料从而引起待测样品周围介质材料的折射率发生变化，由此造成引起所述待测样品的表面薄层内折射率发生变化；激光探针，其发出的光信号穿过所述介质材料，并因所述介质材料的折射率变化而发生偏转；位置传感器，其感测所述偏转并发出偏转信号；及计算装置，其根据所述偏转信号计算出所测薄膜材料的缺陷态密度。根据本发明的测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置，测量薄膜材料的光吸收谱来测试材料中的缺陷态，对低能端(<1.1eV)的吸收具有较高的灵敏度，并可以较为准确地测量材料的缺陷态分布。 | ||
| 申请公布号 | CN104979230A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201510407829.8 | 申请日期 | 2015.07.13 |
| 申请人 | 中国建材国际工程集团有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院 | 发明人 | 彭寿;王芸;崔介东;石丽芬;曹欣 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/0445(2014.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人 | 王法男 |
| 主权项 | 一种测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置，其特征在于，包括：激励光源，其发出的照射光；介质材料，待测样品浸入所述介质材料，所述照射光照射到所述介质材料从而引起待测样品周围介质材料的折射率发生变化，由此造成引起所述待测样品的表面薄层内折射率发生变化；激光探针，其发出的光信号穿过所述介质材料，并因所述介质材料的折射率变化而发生偏转；位置传感器，其感测所述偏转并发出偏转信号；及计算装置，其根据所述偏转信号计算出所测薄膜材料的缺陷态密度。 | ||
| 地址 | 200061 上海市普陀区中山北路2000号中期大厦27层 | ||