发明名称 |
一种节能太阳能电池表面处理方法 |
摘要 |
本发明公开了一种节能太阳能电池表面处理方法,在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜,镀膜的具体工艺为,在薄膜沉积初期,NH<sub>3</sub>与SiH、的气体比例控制在1∶0.37左右,采取适当低的等离子体激发能量,沉积低致密性的薄膜,随着薄膜的生长,等离子体激发能量逐渐增加,NH<sub>3</sub>与SiH、的气体比例逐渐由1∶0.4降低至1∶0.2,在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜,同时随着等离子能量的增强,沉积出的薄膜致密性增加,生产出多层渐进膜。沉积是的温度控制在280-410℃的范围内,多层渐进膜的折射率为1.8-2.4。 |
申请公布号 |
CN104979423A |
申请公布日期 |
2015.10.14 |
申请号 |
CN201410132906.9 |
申请日期 |
2014.04.03 |
申请人 |
哈尔滨市宏天锐达科技有限公司 |
发明人 |
王晓蕊 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种节能太阳能电池表面处理方法,其特征在于:在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜,镀膜的具体工艺为,在薄膜沉积初期,NH3与SiH、的气体比例控制在1:0. 37左右,采取适当低的等离子体激发能量,沉积低致密性的薄膜,随着薄膜的生长,等离子体激发能量逐渐增加,NH3与SiH、的气体比例逐渐由1:0.4降低至1:0.2,在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜,同时随着等离子能量的增强,沉积出的薄膜致密性增加,生产出多层渐进膜,沉积是的温度控制在280—410℃的范围内,多层渐进膜的折射率为1.8一2.4。 |
地址 |
150000 黑龙江省哈尔滨市香坊区哈平路145号远大都市绿洲2栋6单元 |