发明名称 一种节能太阳能电池表面处理方法
摘要 本发明公开了一种节能太阳能电池表面处理方法,在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜,镀膜的具体工艺为,在薄膜沉积初期,NH<sub>3</sub>与SiH、的气体比例控制在1∶0.37左右,采取适当低的等离子体激发能量,沉积低致密性的薄膜,随着薄膜的生长,等离子体激发能量逐渐增加,NH<sub>3</sub>与SiH、的气体比例逐渐由1∶0.4降低至1∶0.2,在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜,同时随着等离子能量的增强,沉积出的薄膜致密性增加,生产出多层渐进膜。沉积是的温度控制在280-410℃的范围内,多层渐进膜的折射率为1.8-2.4。
申请公布号 CN104979423A 申请公布日期 2015.10.14
申请号 CN201410132906.9 申请日期 2014.04.03
申请人 哈尔滨市宏天锐达科技有限公司 发明人 王晓蕊
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种节能太阳能电池表面处理方法,其特征在于:在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜,镀膜的具体工艺为,在薄膜沉积初期,NH3与SiH、的气体比例控制在1:0. 37左右,采取适当低的等离子体激发能量,沉积低致密性的薄膜,随着薄膜的生长,等离子体激发能量逐渐增加,NH3与SiH、的气体比例逐渐由1:0.4降低至1:0.2,在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜,同时随着等离子能量的增强,沉积出的薄膜致密性增加,生产出多层渐进膜,沉积是的温度控制在280—410℃的范围内,多层渐进膜的折射率为1.8一2.4。
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