| 发明名称 | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法。其中，该方法包括：在衬底基板上形成有源层；利用原子层沉积工艺在所述有源层上形成欧姆接触层，其中，所述欧姆接触层包括多个导电离子层和多个单晶硅层/多晶硅层；在所述欧姆接触层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述欧姆接触层与所述有源层接触。通过本发明，达到了大大提高柔性基板上LTPS TFT器件的性能的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN104979215A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201510350156.7 | 申请日期 | 2015.06.23 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 敏健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;黄灿 |
| 主权项 | 一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成有源层；利用原子层沉积工艺在所述有源层上形成欧姆接触层，其中，所述欧姆接触层包括多个导电离子层和多个单晶硅层/多晶硅层；在所述欧姆接触层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述欧姆接触层与所述有源层接触。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||