| 发明名称 | 一种光刻返工去胶方法及其半导体形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光刻返工去胶方法及其半导体形成方法。其中，包括:A、提供一需要返工去除光刻胶的半导体，所述半导体上具有钝化保护层，所述钝化层上具有光刻胶层；B、通过预设温度条件,对所述半导体表面进行干法去除光刻胶；C、对经过干法去除光刻胶的半导体表面进行酸液清洗，以清洗掉进行干法去除光刻胶时所述钝化保护层表面形成的氧化层；D、对经过酸液清洗的半导体表面进行湿法去除剩余光刻胶。本发明具有方法简便、节省成本和返工的半导体线宽差异低于10%的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN104977820A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410131620.9 | 申请日期 | 2014.04.02 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 周耀辉 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人 | 庞聪雅 |
| 主权项 | 一种光刻返工去胶方法，其特征在于，包括:A、提供一需要返工去除光刻胶的半导体，所述半导体上具有钝化保护层，所述钝化层上具有光刻胶层；B、通过预设温度条件,对所述半导体表面进行干法去除光刻胶；C、对经过干法去除光刻胶的半导体表面进行酸液清洗，以清洗掉进行干法去除光刻胶时所述钝化保护层表面形成的氧化层；D、对经过酸液清洗的半导体表面进行湿法去除剩余光刻胶。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||