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<p>LOCOS 산화막이 게이트 전극의 양 단부에 형성되고, 드레인 측 상에 위치되지 않는 LOCOS 산화막 중 하나 아래에 형성되는 확산층의 도전형이 p형으로 설정되어, 소스측 n형 고농도 확산층 아래의 일부에 흐르는 전류의 량을 제한하며, 이 전류는 드레인의 표면 브레이크다운(surface breakdown)으로 인해 생성되는 ESD 보호 소자가 제공된다. 이런 구조로, 고내전압 소자를 보호하는 경우에서도, ESD 보호 소자에 필요로 되는 기능을 쉽게 충족할 수 있으며, 이 기능은 정상 상태 동안에 오프 상태에서 일정하면서, 반도체 장치에 서지(surge) 또는 노이즈를 인가할 시에, 내부 소자의 파손(breakage)에 이르지 않도록 하기 위해 동작하고, 생성된 큰 전류를 방전시켜, 다시 오프 상태로 복귀시킨다.</p> |
