| 摘要 |
<p>상변화 메모리 장치는 복수의 상변화 메모리 셀들을 구비하는 메모리 셀 어레이, 리드 바이어스 제공부, 클램핑부 및 클램핑 제어 신호 생성부를 포함한다. 리드 바이어스 제공부는 복수의 상변화 메모리 셀들 중 선택된 상변화 메모리 셀의 저항 레벨을 리드하기 위한 리드 바이어스를 센싱 노드에 제공한다. 클램핑부는 클램핑 제어 신호에 응답하여 복수의 상변화 메모리 셀들 중 선택된 상변화 메모리 셀과 커플링된 비트라인으로 흐르는 클램핑 전류의 양을 조절한다. 클램핑 제어 신호 생성부는 동작 전압에 연결되어 클램핑 제어 신호를 클램핑부에 제공한다.</p> |
