发明名称 Gas sensor and member using grain growth metal oxide material semiconductor nano structure and manufacturing method thereof
摘要 <p>본 발명은 가스 센서용 부재, 이를 이용한 가스 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 입자 성장된 나노 입자를 포함하여 구성되는 금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재, 가스 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 (a) 복수의 금속산화물 반도체 나노 입자로 구성되는 나노 구조체를 형성하는 단계; 및 (b) 상기 나노 구조체에 광소결 공정을 거쳐 상기 금속산화물 반도체 나노 입자를 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 금속산화물 반도체 나노 입자가 상기 광소결 공정을 거쳐 성장됨으로 인하여 상기 금속산화물 반도체 나노 입자 간에 가스가 드나들 수 있는 기공이 형성되는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 반도체 나노 구조체를 이용한 가스 센서용 부재 제조 방법을 구성함으로써, 간단한 검출 과정을 통하여 극미량의 가스를 검출해 낼 수 있는 높은 감도 특성을 가지고, 다양한 가스에 대한 검출이 가능하도록 우수한 선택성을 가지며, 센서 기판에 결착하여 기계적 안정성을 가지는 것과 함께, 이를 빠른 시간 내에 대량으로 생산할 수 있는 가스 센서용 부재, 가스 센서 및 그 제조 방법을 개시하는 효과를 갖는다.</p>
申请公布号 KR101559465(B1) 申请公布日期 2015.10.13
申请号 KR20130095118 申请日期 2013.08.12
申请人 发明人
分类号 B82B3/00;G01N27/12 主分类号 B82B3/00
代理机构 代理人
主权项
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