| 摘要 |
탄화규소 기판을 준비하는 공정(S11)과, 탄화규소 기판 상에, 제1 원료 가스를 이용하여 제1 탄화규소 반도체층을 형성하는 공정(S12)과, 제1 탄화규소 반도체층 상에, 제2 원료 가스를 이용하여 제2 탄화규소 반도체층을 형성하는 공정(S13)을 포함하고, 제1 탄화규소 반도체층을 형성하는 공정(S12) 및 제2 탄화규소 반도체층을 형성하는 공정(S13)에서는, 도펀트 가스로서 암모니아 가스를 이용하고, 또한, 제1 원료 가스 중의 규소 원자수에 대한 탄소 원자수의 비 C/Si가 1.6 이상 2.2 이하인 원료 가스를 이용한다. |
