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一种金属基底基板之制造方法，系制造在金属基底材上依序积层绝缘黏合剂层和导体层而成的金属基底基板之方法，该金属基底基板之制造方法具有：分散步骤，系使分散相分散在含有湿润分散剂且为构成前述绝缘黏合层的绝缘黏合剂之分散媒中；积层步骤，系一边抽出辊状的导体箔，一边在前述导体箔上积层前述绝缘黏合剂；第1硬化步骤，系加热导体箔上的绝缘黏合剂使之硬化至B阶段状态，形成导体箔和B阶段状态的绝缘黏合层之复合体；金属基底材积层步骤，系在前述B阶段状态的绝缘黏合层上积层金属基底材以获得积层体；及第2硬化步骤，系在70~260℃、0.1~10MPa的条件下将前述积层体加热加压，使B阶段状态的绝缘黏合层硬化至C阶段状态；在利用前述第2硬化步骤所获得之积层体中，C阶段状态之绝缘黏合层的热传导率是1.0~15.0W/(mK)。
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