| 主权项 |
一种聚积型金氧半场效电晶体(Accumulation Mode MOSFET)，具备：形成有通道区域之半导体区域(102)；用以形成上述通道区域之闸极电极(108)；上述半导体区域(102)和上述闸极电极(108)之间的闸极绝缘膜(107)；与上述半导体区域(102)相接，用以将载体注入至上述通道区域之源极区域部；与上述半导体区域(102)相接，用以从上述通道区域排出载体之汲极区域部；及埋入区域(110)，该聚积型金氧半场效电晶体之特征在于：上述源极区域部包含释放电子隧道电流之隧道电子释放部(103-1)；释放蓄积区域电流的热电子释放部(106-1)；及源极电极(104)，上述埋入区域(110)在上述源极区域部中系被配置在上述隧道电子释放部(103-1)和上述半导体区域(102)之间，具有与上述隧道电子释放部(103-1)相反的导电型，上述电子隧道电流系从上述隧道电子释放部(103-1)经由上述埋入区域(110)流至半导体区域(102)，上述热电子释放部(106-1)系与半导体区域(102)接触，上述蓄积区域电流系从上述热电子释放部(106-1)直接流至上述半导体区域(102)。
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