双闸极鳍式电晶体及其制造及运作方法

主权项

一种半导体装置，其包括：一第一鳍及一第二鳍，其由一沟渠隔开；一第一导体，其安置于该沟渠中并实质上平行于该第一鳍之一侧壁及该第二鳍之一侧壁延伸以形成一第一闸极；及一第二导体，其安置于该沟渠中在该第一导体上方及该第一鳍之该侧壁上以形成一第二闸极，其中该第二导体系与该第一导体电隔离；及一第三导体，其安置于该沟渠中在该第一导体上方及该第二鳍之该侧壁上以形成一第三闸极，其中该第三导体系与该第一导体电隔离。