发明名称 |
一种选择性发射极太阳能电池的制备方法 |
摘要 |
一种选择性发射极太阳能电池的制备方法,该方法包括以下步骤:提供P型掺杂的硅片,该硅片包括第一表面以及与该第一表面相对的第二表面;通过离子注入的方式在所述硅片的第一表面形成N型浅掺杂层;根据前电极图形形状,在所述N型浅掺杂层上印刷磷浆;对所述硅片进行退火操作,使所述浆料中的磷原子扩散至所述硅片的内部,在位于所述浆料下方及其附近的所述硅片内形成N型重掺杂层;去除剩余的磷浆;在所述硅片的第一表面形成前电极、以及在所述第二表面形成背电极。本发明利用磷浆印刷和离子注入相结合的方式形成选择性发射极,可以形成高质量高均匀性的PN结,且工艺过程简单易行,易于进行工业化生产。 |
申请公布号 |
CN102881772B |
申请公布日期 |
2015.10.07 |
申请号 |
CN201210389934.X |
申请日期 |
2012.10.15 |
申请人 |
浙江正泰太阳能科技有限公司 |
发明人 |
单伟;韩玮智;牛新伟 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 |
代理人 |
冯谱 |
主权项 |
一种选择性发射极太阳能电池的制备方法,包括:a)提供P型掺杂的硅片(100),该硅片(100)包括第一表面(101)以及与该第一表面(101)相对的第二表面(102);b)通过离子注入的方式在所述硅片(100)的第一表面(101)形成N型浅掺杂层(110);c)根据前电极图形形状,在所述N型浅掺杂层(110)上印刷磷浆(200);d)对所述硅片(100)进行退火操作,使所述浆料(200)中的磷原子扩散至所述硅片(100)的内部,在位于所述浆料(200)下方的所述硅片(100)内形成N型重掺杂层(210);e)去除剩余的磷浆(200);f)在所述硅片(100)的第一表面(101)形成前电极(401),以及在所述第二表面(102)形成背电极(402)。 |
地址 |
310053 浙江省杭州市滨江区滨安路1335号 |