发明名称 |
晶片封装体及其形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括:一第一基底;一第二基底,设置于该第一基底之上,其中该第二基底具有贯穿该第二基底的至少一开口,该至少一开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区;一承载基底,设置于该第二基底之上;一绝缘层,设置于该承载基底的一表面及一侧壁之上,其中该绝缘层填充于该第二基底的该至少一开口之中;以及一导电层,设置于该承载基底上的该绝缘层之上,且电性接触所述导电区中的一导电区。本发明可有效缩小多晶片封装结构的体积,且节省制作成本。 |
申请公布号 |
CN102779800B |
申请公布日期 |
2015.10.07 |
申请号 |
CN201210143361.2 |
申请日期 |
2012.05.09 |
申请人 |
精材科技股份有限公司 |
发明人 |
刘建宏 |
分类号 |
H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/485(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
一种晶片封装体,其特征在于,包括:一第一基底;一第二基底,设置于该第一基底之上,其中该第二基底具有贯穿该第二基底的至少一开口,该至少一开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区;一承载基底,设置于该第二基底之上;一绝缘层,设置于该承载基底的一表面及一侧壁之上,其中该绝缘层填充于该第二基底的该至少一开口之中;一导电层,设置于该承载基底上的该绝缘层之上,且电性接触所述导电区中的一导电区;以及一防焊层,设置于该导电层之上,其中该导电层于该第二基底的一侧边自该防焊层露出。 |
地址 |
中国台湾桃园县中坜市中坜工业区吉林路23号9F |