发明名称 |
采用双N-MOSFET推动级的大功率IGBT驱动电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种采用双N-MOSFET推动级的大功率IGBT驱动电路,包括自举电路、电荷泵电路、双N-MOSFET半桥推动级电路和短路保护电路;所述自举电路包括电平自举电路、自举电容C<sub>boot</sub>及自举二极管D1;电荷泵电路包括自激振荡电路和二极管D2;双N-MOSFET半桥推动级电路由上端N-MOSFET开关管S1与下端N-MOSFET开关管S2串联构成;短路保护支路由电阻R<sub>soft</sub>与N-MOSFET开关管S3构成;电平自举电路输入为驱动控制信号,输出分别连接所述上端N-MOSFET开关管S1和下端N-MOSFET开关管S2的门极;电荷泵电路通过二极管D2连接所述自举电容C<sub>boot</sub>,在上端N-MOSFET开关管S1导通时给自举电容C<sub>boot</sub>充电。本实用新型降低了整个驱动器电路的损耗且降低了电路成本;短路保护电路可准确控制IGBT短路故障时电流下降速率,降低IGBT关断尖峰电压。 |
申请公布号 |
CN204697031U |
申请公布日期 |
2015.10.07 |
申请号 |
CN201520434011.0 |
申请日期 |
2015.06.23 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
肖华锋;兰科 |
分类号 |
H03K17/08(2006.01)I;H03K17/567(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/08(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
窦贤宇 |
主权项 |
一种采用双N‑MOSFET推动级的大功率IGBT驱动电路,其特征在于,包括自举电路(1)、电荷泵电路(2)、双N‑MOSFET半桥推动级电路(3)和短路保护电路(4);其中,所述自举电路(1)包括电平自举电路、自举电容C<sub>boot</sub>及自举二极管D1;电荷泵电路(2)包括自激振荡电路和二极管D2;双N‑MOSFET半桥推动级电路(3)由上端N‑MOSFET开关管S1与下端N‑MOSFET开关管S2串联构成;短路保护支路(4)由电阻R<sub>soft</sub>与N‑MOSFET开关管S3构成;电平自举电路输入为驱动控制信号,输出分别连接所述上端N‑MOSFET开关管S1和下端N‑MOSFET开关管S2的门极;电荷泵电路通过二极管D2连接所述自举电容C<sub>boot</sub>,在上端N‑MOSFET开关管S1导通时给自举电容C<sub>boot</sub>充电;所述上端N‑MOSFET开关管S1的门极与自举电路输出连接,漏极与电源V<sub>CC</sub>连接,所述下端N‑MOSFET开关管S2的门极连接自举电路输出引脚,源极连接电源V<sub>EE</sub>,上端N‑MOSFET开关管S1的源极与下端N‑MOSFET开关管S2的漏极及自举电容C<sub>boot</sub>连接,该连接点和门极电阻R<sub>g</sub>的一端相连,门极电阻R<sub>g</sub>的另一端连接IGBT门极,电阻R<sub>soft</sub>的一端与IGBT门极相连,电阻R<sub>soft</sub>的另一端和开关管S3的漏极相连,开关管S3的源极和地相连,门极与保护控制信号相连。 |
地址 |
210096 江苏省南京市玄武区四牌楼路2号 |