发明名称 3-D SEMICONDUCTOR DIE STRUCTURE WITH CONTAINING FEATURE AND METHOD
摘要 다이-온-다이 조립체는 제 1 다이(10) 및 제 2 다이(50)를 갖는다. 제 1 다이(10)는 제 1 접점 연장부(28, 42) 및 제 1 다이 위로 제 1 높이로 연장하는 페그(32, 44, 45)를 갖는다. 제 2 다이(50)는 제 1 접점 연장부에 접속된 제 2 접점 연장부(68)를 갖고, 페그를 둘러싸는 제 2 다이 위로 제 2 높이로 연장하는 수용 특징부(62)를 갖는다. 페그는 수용 특징부를 지나 연장한다. 페그가 수용 특징부를 지나 연장하기 때문에, 제 1 및 제 2 다이 사이의 측방향 이동은 페그가 수용 특징부에 접촉하게 그에 의해 제한되게 할 수 있다. 따라서, 페그 및 수용 특징부는 제 1 및 제 2 다이 사이의 이동을 수용하는데 유용하다.
申请公布号 KR101558194(B1) 申请公布日期 2015.10.07
申请号 KR20107013959 申请日期 2008.12.10
申请人 프리스케일 세미컨덕터, 인크. 发明人 포즈데어 스콧 케이;차테르지 리트윅
分类号 H01L21/60;H01L23/12;H01L23/48 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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