使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法

摘要

使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法，通过使用丙烯酸粘着剂蓝膜作为保护二氧化硅层用蓝膜，然后在多余的二氧化硅层经氟化氢腐蚀去除后浸入半导体清洗常用的氨水溶液内，经过一定时间后蓝膜自动被剥离硅片表面。该剥离蓝膜方法操作简单，可以进行批量脱膜，大大提高了生产效率，且没有人员参与到剥离蓝膜的动作中，减少了人员对硅片的沾污与损伤，同时硅片表面的残余的蓝膜胶在剥离蓝膜的过程中被全部去除，节省了工序，降低了成本。

主权项

使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）通过化学气相沉积的方法在硅片表面生成一层二氧化硅膜，然后以丙烯酸作为粘着剂将裁剪好的蓝膜粘附在需要保护部分的二氧化硅膜上，而硅片表面不需要保护的二氧化硅膜则不粘附蓝膜；2）将硅片置于质量浓度为5‑15%的氟化氢溶液中1‑5分钟，以使硅片表面未受保护的二氧化硅膜与氟化氢反应，从而去除二氧化硅膜；3）将反应完毕的硅片从氟化氢溶液中取出，并用纯水冲洗2‑3次，去除表面残留的氟化氢溶液，然后将其置于氨水溶液中，待硅片表面的蓝膜脱落后，取出硅片用纯水清洗干净即可。