| 摘要 |
반도체 집적 회로에서 전압 강하의 증대를 억제한다. 반도체 집적 회로는, 복수의 제1의 입출력 셀과, 복수의 제2의 입출력 셀과, 전위 공급부를 갖는다. 복수의 제1의 입출력 셀은, 반도체 집적 회로 기판상에 배열된다. 복수의 제2의 입출력 셀은, 복수의 제1의 입출력 셀에 따라 반도체 집적 회로 기판상에 배열된다. 전위 공급부는, 반도체 패키지 기판의 표면 내에서 일부가 돌출하여 반도체 패키지 기판상에 형성되고, 복수의 제1의 입출력 셀의 어느 하나인 대상 셀과 복수의 제2의 입출력 셀 중 대상 셀의 부근의 셀에 대해 돌출한 일부를 포함하는 영역을 통하여 소정의 전위를 공급한다. |
