发明名称 |
PATTERN FORMING METHOD, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC DEVICE AND COMPOUND |
摘要 |
본 발명은 (i) (A) 특정 일반식(I-1)으로 나타내어지는 화합물, (B) 화합물(A)과 다르며, 활성광선 또는 방사선의 조사시에 산을 발생할 수 있는 화합물, 및 (P) 화합물(A)로부터 발생한 산과 반응하지 않으며, 화합물(B)로부터 발생한 산의 작용에 의해 유기 용제 함유 현상액에 대한 용해도를 감소시킬 수 있는 수지를 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 함유하는 막을 형성하는 공정, (ii) 상기 막을 노광하는 공정, 및 (iii) 유기 용제 함유 현상액을 사용하여 상기 노광된 막을 현상하여 네가티브 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법; 상기 감활성광선성 감방사선성 수지 조성물; 상기 조성물을 사용한 레지스트막을 제공한다. |
申请公布号 |
KR20150113160(A) |
申请公布日期 |
2015.10.07 |
申请号 |
KR20157023676 |
申请日期 |
2014.02.26 |
申请人 |
FUJIFILM CORPORATION |
发明人 |
KATAOKA SHOHEI;SHIBUYA AKINORI;FUKUHARA TOSHIAKI;FURUTANI HAJIME;SHIRAKAWA MICHIHIRO |
分类号 |
G03F7/004;C07C311/51;C07C311/53;C07C381/12;C07D327/06;C07D333/46;C07D333/76;C07D411/06;G03F7/038;G03F7/039 |
主分类号 |
G03F7/004 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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