发明名称 ソルボサーマル法を用いるCu,Zn,Sn及びSを含有する硫化物系化合物半導体ナノ粒子の製造方法
摘要 The present invention provides a method of producing a sulfide compound semiconductor containing Cu, Zn, Sn and S, in which the method includes a solvothermal step of conducting a solvothermal reaction of Cu, Zn, Sn and S in an organic solvent, and a rod-like crystal of sulfide compound semiconductor containing Cu, Zn, Sn and S.
申请公布号 JP5788832(B2) 申请公布日期 2015.10.07
申请号 JP20120114566 申请日期 2012.05.18
申请人 トヨタ自動車株式会社;国立大学法人高知大学 发明人 神谷 純生;木下 圭介;柳澤 和道;タオ ハイジュン
分类号 C01G19/00 主分类号 C01G19/00
代理机构 代理人
主权项
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