| 发明名称 | 一种基于极化掺杂效应的太赫兹二极管及其工艺实现方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于极化掺杂效应的太赫兹二极管及其工艺实现方法，装置部分包括阴极电极、渐变Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N极化掺杂层、有源区、阳极区和阳极电极；所述的阳极区上外延生长有源区，有源区外延生长渐变Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N极化掺杂层；阳极区的外侧设有阳极，渐变Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N极化掺杂层的外侧设有阴极。本发明中的高电子浓度材料，易于形成电子隧穿，获得良好的欧姆接触，提高器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104966741A | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201510398197.3 | 申请日期 | 2015.07.03 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | 发明人 | 董志华;程知群;刘国华;周涛;柯华杰 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/201(2006.01)I;H01L29/207(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 叶志坚 |
| 主权项 | 一种基于极化掺杂效应的太赫兹二极管，其特征在于：包括阴极电极、渐变Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N极化掺杂层、有源区、阳极区和阳极电极；所述的阳极区上外延生长有源区，有源区外延生长渐变Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N极化掺杂层；阳极区的外侧设有阳极，渐变Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N极化掺杂层的外侧设有阴极。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 | ||