横波直入射电磁超声传感器

摘要

一种横波直入射电磁超声传感器，包括：外壳；圆柱形磁铁，设置于外壳内，自上而下产生凸台状的偏置磁场；电磁屏蔽层，套设在圆柱形磁铁的外侧；一体式环形线圈，包括环形线圈及引线，设置在所述外壳下部的凹台中；阻热层，设置于所述外壳底部的外侧，以封住所述一体式环形线圈；上端封头，与所述外壳配合封住所述外壳的开口；信号接头，设置在所述上端封头，连接一导线与所述引线；垫圈，设置在所述外壳底部，位于所述电磁屏蔽层与环形线圈之间，其底部通过所述外壳内侧壁的凸起支撑；其中，所述圆柱形磁铁产生的所述凸台状的偏置磁场的顶部位于所述一体式环形线圈处。本实用新型可以提供直入射横波，对温度高达650度的导体进行超声波测厚和探伤。

主权项

一种横波直入射电磁超声传感器，其特征在于，所述的横波直入射电磁超声传感器包括：外壳；圆柱形磁铁，设置于所述外壳内，自上而下产生凸台状分布的偏置磁场；电磁屏蔽层，套设在所述圆柱形磁铁的外侧；一体式环形线圈，包括环形线圈及引线，所述环形线圈设置在所述外壳下部的凹台中；阻热层，设置于所述外壳底部的外侧，以封住所述一体式环形线圈；上端封头，与所述外壳配合封住所述外壳的开口；信号接头，设置在所述上端封头上，连接一导线与所述引线；垫圈，设置在所述外壳底部，位于所述电磁屏蔽层与环形线圈之间，其底部通过所述外壳内侧壁的凸起支撑；其中，所述圆柱形磁铁产生的凸台状的所述偏置磁场的顶部位于所述一体式环形线圈处。