| 摘要 |
본 발명은, 방사선 방출 반도체 소자를 위한 하나 이상의 변환 박층(4)을 제조하기 위한 변환 박층 제조 방법에 관한 것이며, 내부에 변환 물질을 함유하는 기본 재료(3)는 이중 층 형판(double-layered stencil)(1)에 의해 기판(2) 상에 도포된다. 그 밖에도, 본 발명에 따라, 방사선 방출 반도체 소자를 위한 변환 박층(4)이 제시되며, 이 변환 박층은, 기본 재료(3)와 이 기본 재료 내에 매립된 변환 물질을 포함하고, 변환 박층(4)의 두께(D)는 60 ㎛(60 ㎛ 포함) 내지 170 ㎛(170 ㎛ 포함)의 범위 안에 있다. |
