| 摘要 |
<p>Pixel comprenant trois sous-pixels (P1, P2, P3) adjacents, formés par des empilements respectifs de couches semi-conductrices, ledit pixel étant caractérisé en ce que : - chaque dit sous-pixel comprend une première couche active (32), adaptée pour émettre une lumière à une première longueur d'onde (λ1) lorsqu'elle est traversée par un courant électrique ; - un autre sous-pixel (P2) comprend également une deuxième couche active (52, 52'), adaptée pour émettre une lumière à une deuxième longueur d'onde (λ2) supérieure à ladite première longueur d'onde ; un autre desdits sous-pixels (P3) comprend également une troisième couche active (22, 6), adaptée pour émettre une lumière à une troisième longueur d'onde (λ3) supérieure à ladite première longueur d'onde et différente de ladite deuxième longueur d'onde ; au moins une parmi lesdites deuxième et troisième couche active étant adaptée pour émettre ladite lumière lorsqu'elle est excitée par la lumière à la première longueur d'onde émise par ladite première couche active du même sous-pixel. Structures semi-conductrices et procédé pour la fabrication d'un tel pixel.</p> |
