发明名称 Leistungshalbleitereinrichtung
摘要 Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Substrat und mit auf dem Substrat angeordneten und mit dem Substrat verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen, wobei die Leistungshalbleitereinrichtung elektrisch leitende Lastanschlusselemente aufweist, wobei die Leistungshalbleitereinrichtung ein um die Leistungshalbleiterbauelemente lateral umlaufendes, einstückig ausgebildetes erstes Gehäuseteil aufweist, wobei der Grundkörper eine um die Leistungshalbleiterbauelemente lateral umlaufende erste Hauptaußenfläche aufweist, die zumindest zum Teil von einem die Leistungshalbleiterbauelemente lateral umlaufenden, elastischen, elektrisch nicht leitenden, einstückig ausgebildeten, strukturierten ersten Dichtelement flächig bedeckt ist, wobei ein Abschnitt des ersten Dichtelements zwischen dem ersten Gehäuseteil und der ersten Hauptaußenfläche des Grundkörpers angeordnet ist, wobei das erste Gehäuseteil und die erste Hauptaußenfläche des Grundkörpers gegen das erste Dichtelement gedrückt angeordnet sind, und das erste Dichtelement das erste Gehäuseteil gegen die erste Hauptaußenfläche des Grundkörpers abdichtet. Die Erfindung schafft eine kompakt ausgebildete Leistungshalbleitereinrichtung, deren Lastanschlusselemente zuverlässig gegen den Grundkörper der Leistungshalbleitereinrichtung elektrisch isoliert sind und deren Gehäuse zuverlässig gegen den Grundkörper abgedichtet ist.
申请公布号 DE102014104194(A1) 申请公布日期 2015.10.01
申请号 DE201410104194 申请日期 2014.03.26
申请人 SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG 发明人 BOGEN, INGO
分类号 H01L23/10;H01L23/46;H01L23/48;H01L25/07 主分类号 H01L23/10
代理机构 代理人
主权项
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