| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种可实现电极与焊料之适切之接合之半导体装置及其制造方法。;根据一实施形态，半导体装置包括含有第1金属元素之电极层。进而，上述装置包括金属层，该金属层设于上述电极层上，且含有上述第1金属元素及与上述第1金属元素不同之第2金属元素。进而，上述装置包括焊料层，该焊料层系于上述金属层上与上述电极层相隔而设，且含有上述第2金属元素。 |
| 申请公布号 |
TW201537707 |
申请公布日期 |
2015.10.01 |
| 申请号 |
TW103124428 |
申请日期 |
2014.07.16 |
| 申请人 |
东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
柴田浩延 SHIBATA, HIRONOBU |
| 分类号 |
H01L23/48(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
