肖特基二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种肖特基二极管的制造方法，步骤包括：1）在N型高掺杂硅基片正面生长低掺杂N型外延层；2）在外延层上生长非掺杂氧化硅硬掩膜层；3）在氧化硅硬掩膜层上淀积氮化硅硬掩膜层；4）沟槽刻蚀；5）沟槽内生长栅氧；6）在沟槽内填充多晶硅，并回刻至外延层上表面；7）去除氮化硅硬掩膜层；8）生长接触孔介质膜，接触孔图形化后，去除接触孔介质膜；9）刻蚀掉氧化硅硬掩膜；10）淀积金属阻障层、金属阳极和金属阴极。本发明通过改变肖特基二极管的制作工艺流程和金属前介质膜的膜质，减少了接触孔刻蚀过程中沟槽栅氧化膜的损失，避免了沟槽栅氧化膜凹槽的形成，从而改善了肖特基二极管的漏电和耐压问题。

主权项

肖特基二极管的制造方法，其特征在于，步骤包括：1）在N型高掺杂硅基片正面生长低掺杂N型外延层；2）在外延层上生长非掺杂氧化硅硬掩膜层；3）在氧化硅硬掩膜层上淀积氮化硅硬掩膜层；4）在外延层上刻蚀出沟槽；5）用热氧化法在沟槽内生长一层栅极氧化硅；6）在沟槽内填充多晶硅，然后将多晶硅回刻至外延层的上表面；7）去除氮化硅硬掩膜层；8）生长接触孔介质膜，进行接触孔的图形化，然后刻蚀去除接触孔介质膜；9）刻蚀去除氧化硅硬掩膜；10）淀积金属阻障层和金属阳极，并在硅基片背面淀积金属阴极。