| 发明名称 |
半导体装置、半导体装置的制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
根据所请发明的半导体装置，其特征在于包括半导体基板，以GaAs(砷化镓)形成；密合层，在上述半导体基板上以Pd(钯)或包含Pd的合金形成；阻障层，在上述密合层上以Co(钴)或包含Co的合金形成；以及金属层，在上述阻障层上以Cu(铜)、Ag(银)或Au(金)形成。 |
| 申请公布号 |
TW201537746 |
申请公布日期 |
2015.10.01 |
| 申请号 |
TW103137558 |
申请日期 |
2014.10.30 |
| 申请人 |
三菱电机股份有限公司 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION |
发明人 |
西泽弘一郎 NISHIZAWA, KOICHIRO |
| 分类号 |
H01L29/20(2006.01);H01L21/8252(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/20(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
