| 主权项 |
一种非挥发性记忆体位元单元，其包括：一基板，其包括一源极、一汲极及一通道区；一非导电材料；一底部障壁，其位于该通道区上方；一浮动闸极，其位于该底部障壁上方，该浮动闸极覆盖该通道区、且于该浮动闸极之至少二侧上至少部分覆盖该非导电材料、且至少部分覆盖该源极及该汲极；一顶部障壁，其位于该浮动闸极上方；一介电层，其包括具有比该顶部障壁之介电常数高之一介电常数之一材料，该介电层直接接触该顶部障壁；及一控制闸极，其延伸经过且覆盖该浮动闸极之至少四个侧壁之至少一部分及该浮动闸极之一顶表面，该控制闸极直接接触该介电层。
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