Method of fabricating semiconductor device having buried wiring
摘要
<p>선택적 증착법을 이용한 매립형 배선라인을 구비하는 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 반도체 기판에 트렌치를 형성한다. 제1도전막을 상기 트렌치의 측면 및 저면에 형성한다. 상기 트렌치에 매립되도록 제2도전막을 선택적 증착법을 이용하여 상기 제1도전막상에 선택적으로 형성한다. 상기 제2도전막을 형성하는 것은 무전해 도금법을 이용하여 형성하는 것 또는 MOCVD 또는 ALD 증착법을 이용하여 형성하는 것을 포함할 수 있다.</p>
