非挥发性记忆体元件及其制造方法;NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

摘要

本发明提供一种非挥发性记忆体元件及其制造方法，上述非挥发性记忆体元件包括非挥发性记忆体单元，包括一第一电晶体和第二电晶体，设置于基板上，第一电晶体和第二电晶体共用源极区，第一电晶体的第一闸极和第二电晶体的第二闸极为字元线的不同部分；第一电阻转态元件和第二电阻转态元件，分别耦接至第一电晶体的第一汲极区和第二电晶体的第二汲极区；第一源极线，耦接至源极区；第一位元线，耦接至第一电阻转态元件；第二位元线，耦接至第二电阻转态元件，其中第一源极线、第一位元线和第二位元线位于第一金属层且互相平行。