积体电路元件及其制造方法;INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

一种方法包含方法包含形成伪闸极堆叠于半导体基板上方，其中半导体基板包含于晶圆中，移除伪闸极堆叠以形成凹陷，形成闸极介电层于凹陷中，形成金属层于凹陷中且位于闸极介电层上方。金属层具有n型功函数。利用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)形成阻挡层于金属层上方。藉由金属材料填充凹陷之剩余部分，其中金属材料覆盖金属层。