发明名称 阵列双重图案化中之分隔部形成
摘要
申请公布号 TWI502643 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW099100420 申请日期 2010.01.08
申请人 兰姆研究公司 发明人 沙价迪 S M 瑞加;珍 阿密特
分类号 H01L21/311 主分类号 H01L21/311
代理机构 代理人 许峻荣 新竹市民族路37号10楼
主权项 一种具有环绕周边区域之阵列区域的形成方法,其中一基板配置于一蚀刻层下方,该蚀刻层配置于定义该阵列区域及该周边区域之一图案化有机遮罩下方,包含:修整步骤,修整该图案化有机遮罩;无机层沉积步骤,将一无机层沉积于该图案化有机遮罩上,其中该有机遮罩之该周边区域上方的该无机层厚度大于该有机遮罩之该阵列区域上方的该无机层厚度;无机层回蚀步骤,回蚀该无机层以暴露出该有机遮罩,并于该阵列区域中形成无机分隔部,而使该周边区域中的该有机遮罩保持未暴露;及有机遮罩剥除步骤,剥除暴露于该阵列区域中的该有机遮罩,而使该无机分隔部留在适当位置,并保护该周边区域中的该有机遮罩,其中一无机层系配置于该有机遮罩与该蚀刻层之间,且该方法更包含:阵列区域蚀刻步骤,透过由该沉积无机层之侧壁形成之分隔部蚀刻该无机层之该阵列区域,其中蚀刻该无机层之步骤亦蚀刻掉该周边区域之顶部上的该沉积无机层;周边区域中的图案化有机遮罩移除步骤,移除该周边区域上的该图案化有机遮罩;线路端及周边遮罩形成步骤,形成覆盖该阵列区域之一结合型有机线路端(EOL)及周边遮罩,同时暴露出该阵列区域中的线路端(EOL)及该周边区域;线路端及无机层之周边区域蚀刻步骤,蚀刻该线路端及该无机层之该周边区域;及有机线路端及周边遮罩剥除步骤,剥除该有机EOL及周边遮罩。
地址 美国