形成在具有基板顶面之半导体基板上之半导体元件及其制备方法

主权项

一种形成在具有基板顶面之半导体基板上之半导体元件，其包含；一从该基板顶面延伸到该半导体基板中之栅极沟槽；一在该栅极沟槽中之栅极电极；一沉积在该栅极电极上方之栅极顶部电介质材料；一在该栅极沟槽附近之本体区；一嵌在该本体区中之源极区，至少一部分之该源极区延伸到该栅极顶部电介质材料上方；以及一沉积在至少一部分之该栅极沟槽开口、至少一部分之该源极区上方之金属层；其中该源极区包含一弯曲侧壁部分，其相邻于该栅极沟槽，并且延伸至该栅极顶部电介质材料的上方。