半导体装置之制造方法，基板处理装置及记录媒体

主权项

一种半导体装置之制造方法，系具有藉由施行既定次数之包括有下述步骤的循环，而在基板上形成薄膜的步骤：对处理室内的基板供应原料气体之步骤，及对上述处理室内的上述基板供应反应气体之步骤；其中，于上述供应原料气体的步骤及上述供应反应气体的步骤中至少任一步骤，系施行：第1供应步骤，其乃直到上述处理室内的压力成为既定压力之前，于停止上述处理室内之排气的状态下，依第1流量供应上述原料气体与上述反应气体中在该步骤所使用气体；以及第2供应步骤，其乃在上述处理室内的压力成为上述既定压力之后，于将上述处理室内的压力维持于上述既定压力，且实施上述处理室内之排气的状态下，依小于上述第1流量的第2流量，供应上述原料气体与上述反应气体中在该步骤所使用气体。