发明名称 光检测器
摘要
申请公布号 TWI502725 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW099122721 申请日期 2010.07.09
申请人 滨松赫德尼古斯股份有限公司 发明人 藁科祯久;石原正敏;铃木智史
分类号 H01L25/04;H01L31/02 主分类号 H01L25/04
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种光检测器,其特征在于:其系用以检测第1波长区域之能量射线、及比前述第1波长区域为长波长侧的第2波长区域之能量射线者,且具备:第1半导体层;绝缘层,其系积层于前述第1半导体层之一方侧之主面;第2半导体层,其系积层于前述绝缘层之一方侧之主面,且具有较前述第1半导体层之电阻率高之电阻率;配线膜,其系介隔绝缘膜而设于前述第2半导体层之一方侧之主面,且与前述第1半导体层所含之电通路部电性连接;第1光半导体元件,其系覆盖形成于前述第1半导体层之另一方侧之主面之凹部,且配置于前述第1半导体层之另一方侧之主面上以确保前述凹部内之气密性,并与前述电通路部电性连接;及第2光半导体元件,其系配置于前述凹部内,且与前述第1光半导体元件电性连接;前述第1光半导体元件包含:第1半导体基板;及第1光电变换部,其系设于前述第1半导体基板之一方侧之部份,且于前述第1波长区域之能量射线相对于前述第1半导体基板从另一方侧入射时产生电荷;前述第2光半导体元件包含: 第2半导体基板;及第2光电变换部,其系以与前述第1光电变换部对向之方式设于前述第2半导体基板之另一方侧之部份,且于前述第2波长区域之能量射线相对于前述第2半导体基板从另一方侧入射时产生电荷。
地址 日本