发明名称 |
基板处理装置,半导体装置之制造方法及记录媒体;SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM |
摘要 |
本发明系能够适当地进行朝向基板外周侧之排气导率调整,而藉此确实地寻求在膜形成时之处理空间内之压力的均匀化。;本发明之基板处理装置系以具备有如下之构件之方式而加以构成:处理空间,其针对基板进行处理;排气缓冲室,其具有以包围处理空间之侧方之周围的方式所设置之空间,而流入被供给至处理空间内之气体;及导率调整板,其以面向处理空间与排气缓冲室之间之气体流路之方式而加以配置。导率调整板系于面向从处理空间而朝向排气缓冲室之气体流路之内周侧端缘,具有R状(圆弧状)部分或锥形倾斜状部分。 |
申请公布号 |
TW201537625 |
申请公布日期 |
2015.10.01 |
申请号 |
TW103122668 |
申请日期 |
2014.07.01 |
申请人 |
日立国际电气股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. |
发明人 |
板谷秀治 ITATANI, HIDEHARU |
分类号 |
H01L21/205(2006.01);H01L21/318(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
赖经臣宿希成 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |