发明名称 内含客体化合物之高分子金属错合物结晶、其制造方法、结晶构造解析用试料之制作方法、及有机化合物之分子构造决定方法
摘要
申请公布号 TWI501990 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW102108219 申请日期 2013.03.08
申请人 独立行政法人科学技术振兴机构 发明人 藤田诚;猪熊泰英;吉冈翔太;有吉绚子
分类号 C08G61/12;C07F3/06;C07F15/06;G01N23/20 主分类号 C08G61/12
代理机构 代理人 丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种内含客体化合物之高分子金属错合物结晶,其中高分子金属错合物系以式:[[M(X)2]3(L)2]n表示[式中,M系表示金属离子,X系表示一价的阴离子,L系表示下述式(1)所示之三牙配位子(式中,Ar系表示可具有取代基之3价的芳香族基;X1~X3系各自独立地表示2价的有机基、或直接连结Ar与Y1~Y3的单键;Y1~Y3系各自独立地表示具有配位位置的1价的有机基),n系表示任意的自然数],其特征为具有该配位子于该金属离子配位形成之三维网状结构,且在具有于该三维网状结构内三维地规则排列之细孔及中空之高分子金属错合物的该细孔及中空内,内含选自包含脂肪族烃;脂环式烃;醚类;酯类;选自包含苯、甲苯、二甲苯、三甲苯、萘、蒽及菲之群组中的芳香族烃;卤化烃;以及腈类之群组中的至少一种作为客体化合物(A)而成,相对于该细孔及中空内所内含的所有客体化合物,在该细孔及中空内之客体化合物(A)的存在量为90莫耳%以上。
地址 日本